Ржа́нов Анатолий Васильевич (р. 1920), физик, академик РАН (1984). Труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике.
* * *
РЖАНОВ Анатолий Васильевич - РЖА́НОВ Анатолий Васильевич (9 апреля 1920, Иваново - 25 июля 2000, Новосибирск), российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1984). Труды по физике диэлектриков и полупроводников, полупроводниковой электронике.
В 1941 окончил Ленинградский политехнический институт. Участник Великой Отечественной войны. После тяжелого ранения в 1943 был демобилизован. В 1948 окончил аспирантуру Физического института им. Лебедева, в котором начал первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора.
В 1962 по приглашению академика М.А.Лаврентьева (см. ЛАВРЕНТЬЕВ Михаил Алексеевич) перебрался в новосибирский Академгородок, где организовал и возглавил Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники (впоследствии Институт физики полупроводников его имени). Открыл и исследовал пьезоэффект (см. ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ) в поляризованной керамике на основе титаната бария. Создал и исследовал образцы точечно-контактных и вплавленных германиевых диодов и триодов. Изучал процессы объемной и поверхностной рекомбинаций в полупроводниках, происхождение и свойства поверхностных электронных состояний, разработал энергонезависимые матричные элементы памяти, различные приборы и устройства СВЧ-электроники и фотоприемные устройства от видимого до дальнего инфракрасного диапазона спектра излучения.
В 1963-2000 преподавал в Новосибирском университете, где основал кафедру физики полупроводников.